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SIHB12N60E-GE3_VISHAY/威世科技_MOSFET 600V 380mOhm@10V 12A N-Ch E-SRS得捷芯城科技

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  • 廠家型號(hào)：

    SIHB12N60E-GE3

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    Vishay(威世)

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    17048

  • 產(chǎn)品封裝：

    標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    24+

  • 庫(kù)存類型：

    熱賣庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-7-25 23:00:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào)：SIHB12N60E-GE3品牌：Vishay(威世)

原廠直銷,大量現(xiàn)貨庫(kù)存,交期快。價(jià)格優(yōu),支持賬期

  • 芯片型號(hào)：

    SIHB12N60E-GE3

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    VBSEMI【微碧半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    VBsemi Electronics Co.,Ltd

  • 中文名稱：

    微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    8 頁

  • 文件大?。?/span>

    1038.119 kb

  • 資料說明：

    N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    SIHB12N60E-GE3

  • 功能描述：

    MOSFET 600V 380mOhm@10V 12A N-Ch E-SRS

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市得捷芯城科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪留言

  • 聯(lián)系人：

    肖先生

  • 手機(jī)：

    19076157484

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-82538261

  • 傳真：

    0755-82539558

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)福田街道福虹路9號(hào)世貿(mào)廣場(chǎng)A座5層

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