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首頁(yè)>SI8425DB-T1-E1>芯片詳情

SI8425DB-T1-E1_VISHAY/威世科技_MOSFET -20V 23mOhm@4.5V 9.3A P-Ch G-III中聯(lián)芯電子

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  • 廠家型號(hào)：

    SI8425DB-T1-E1

  • 產(chǎn)品分類(lèi)：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    VISHAY/威世

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    6000

  • 產(chǎn)品封裝：

    MicroFoot-4

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    24+

  • 庫(kù)存類(lèi)型：

    優(yōu)勢(shì)庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-7-25 9:12:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：SI8425DB-T1-E1品牌：VISHAY/威世

只做原裝/假一賠十/安心咨詢(xún)

  • 芯片型號(hào)：

    SI8425DB-T1-E1

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    VISHAY【威世科技】詳情

  • 廠商全稱(chēng)：

    Vishay Siliconix

  • 中文名稱(chēng)：

    威世科技半導(dǎo)體

  • 資料說(shuō)明：

    MOSFET -20V 23mOhm@4.5V 9.3A P-Ch G-III

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 型號(hào)：

    SI8425DB-T1-E1

  • 功能描述：

    MOSFET -20V 23mOhm@4.5V 9.3A P-Ch G-III

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市中聯(lián)芯電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪留言

  • 聯(lián)系人：

    陳楠

  • 手機(jī)：

    18025360035

  • 詢(xún)價(jià)：
  • 電話：

    0755-82725207/18025360035

  • 傳真：

    0755-82701983

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)振興路上步管理大廈 501棟402室

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