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SI7900AEDN-T1-E3中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
SI7900AEDN-T1-E3 |
| 功能描述 | Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Common Drain |
| 文件大小 |
537.63 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
12 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Vishay Siliconix |
| 企業(yè)簡稱 |
VISHAY【威世科技】 |
| 中文名稱 | 威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) | VISHAY |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-6 12:30:00 |
| 人工找貨 | SI7900AEDN-T1-E3價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
SI7900AEDN-T1-E3
- 功能描述：
MOSFET 20V 8.5A 1.5W
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
23+ |
QFN8 |
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VISHAY |
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SII/精工 |
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VISHAY |
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QFN |
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