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SI6968BEDQ-T1-GE3

Dual N-Channel 2.5 V (G-S) MOSFET Common Drain, ESD Protection

FEATURES ?TrenchFET?powerMOSFETs ?ESDprotected:3000V ?Materialcategorization:fordefinitionsof compliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note ?*(Pb)-containingterminationsarenotRoHS-compliant. Exemptionsmayapply

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SI6968BEDQ-T1-GE3

Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET Common Drain, ESD Protection

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SI7006-A20-IM1R

SILICON
DFN

SILICON

相關(guān)企業(yè):深圳市上美通科技有限公司

SILICON

SI7020-A20-GM1R

SILICON
DFN

SILICON

相關(guān)企業(yè):深圳市上美通科技有限公司

SILICON

SI7020-A20-GM1R

SILICON LABS/芯科
6DFN

SILICON LABS/芯科

相關(guān)企業(yè):深圳龐田科技有限公司

SILICON LABS/芯科

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    SI6968BEDQ-T1-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET Dual N-Ch MOSFET 20V 22mohm @ 4.5V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多SI6968BEDQ-T1-GE3供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-30 19:27:00