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SI6968BEDQ-T1-GE3中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號 |
SI6968BEDQ-T1-GE3 |
功能描述 | Dual N-Channel 2.5 V (G-S) MOSFET Common Drain, ESD Protection |
文件大小 |
256.69 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
11 頁 |
生產(chǎn)廠商 | VISHAY Vishay Siliconix |
中文名稱 | 威世科技 威世科技半導(dǎo)體 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-8-23 23:01:00 |
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SI6968BEDQ-T1-GE3規(guī)格書詳情
FEATURES
? TrenchFET? power MOSFETs
? ESD protected: 3000 V
? Material categorization: for definitions of
compliance please see www.vishay.com/doc?99912
Note
? *(Pb)-containing terminations are not RoHS-compliant.
Exemptions may apply
產(chǎn)品屬性
- 型號:
SI6968BEDQ-T1-GE3
- 功能描述:
MOSFET Dual N-Ch MOSFET 20V 22mohm @ 4.5V
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Vishay(威世) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原廠直銷,現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持! |
詢價 | ||
實庫VISHAY厡裝現(xiàn)貨 |
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TSSOP8 |
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VISHAY |
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VISHAY |
20+ |
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25+ |
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VISHAY(威世) |
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Vishay |
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