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SI4410DY-T1-E3中文資料微碧半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

SI4410DY-T1-E3
廠商型號(hào)

SI4410DY-T1-E3

功能描述

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件大小

1.08612 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

9 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

VBSEMI

中文名稱

微碧半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-8-18 12:00:00

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SI4410DY-T1-E3規(guī)格書(shū)詳情

FEATURES

? Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement

? Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness

? Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current

? Compliant to RoHS directive 2002/95/EC

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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