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SI4410DY中文資料飛利浦數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

SI4410DY
廠商型號

SI4410DY
功能描述

N-channel enhancement mode field-effect transistor
文件大小

266.95 Kbytes
頁面數(shù)量

13 頁
生產(chǎn)廠商

PHI
中文名稱

飛利浦
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二
更新時間

2025-9-3 19:10:00
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SI4410DY規(guī)格書詳情

描述 Description

N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS?1 technology.

Product availability:

Si4410DY in SOT96-1 (SO8).

特性 Features

■ Low on-state resistance

■ Fast switching

■ TrenchMOS? technology.

Applications

■ DC to DC convertors

■ DC motor control

■ Lithium ion battery applications

■ Notebook PC

■ Portable equipment applications.

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    SI4410DY

  • 功能描述：

    MOSFET 30V N-Ch. FET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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