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SI3447DV中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

SI3447DV
廠商型號

SI3447DV

功能描述

P-Channel 1.8V (G-S) MOSFET

文件大小

246.26 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商

VISHAY Vishay Siliconix

中文名稱

威世科技 威世科技半導體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-10 20:00:00

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SI3447DV規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The attached spice model describes the typical electrical characteristics of the p-channel vertical DMOS. The subcircuit model is extracted and optimized over the ?55 to 125°C temperature ranges under the pulsed 0-V to 5-V gate drive. The saturated output impedance is best fit at the gate bias near the threshold voltage.

CHARACTERISTICS

? P-Channel Vertical DMOS

? Macro Model (Subcircuit Model)

? Level 3 MOS

? Apply for both Linear and Switching Application

? Accurate over the ?55 to 125°C Temperature Range

? Model the Gate Charge, Transient, and Diode Reverse Recovery Characteristics

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    SI3447DV

  • 功能描述:

    MOSFET SSOT6 SINGLE PCH

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
VISHAY/威世
24+
NA/
12328
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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VISHIBA
22+
SOT-23-6
100000
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SILICONIX
23+
SOT163
12735
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VISHAY
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SOT163
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SOT-163
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VISHAY/威世
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SOT23-6
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SOT23-6
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全新原裝現(xiàn)貨/假一罰百!
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FAIRCHILD
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SOT23-6
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SOT-23-6
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