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SI3445DV-T1-E3中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

廠商型號(hào) |
SI3445DV-T1-E3 |
功能描述 | P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET |
文件大小 |
187.99 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
9 頁 |
生產(chǎn)廠商 | VISHAY Vishay Siliconix |
中文名稱 | 威世科技 威世科技半導(dǎo)體 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-8-7 23:00:00 |
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SI3445DV-T1-E3規(guī)格書詳情
P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
???
TrenchFET? Power MOSFETs 1.8-V Rated
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
SI3445DV-T1-E3
- 功能描述:
MOSFET 8V 5.6A 2W
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
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VISHAY/威世 |
24+ |
NA/ |
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