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SI1330EDL-T1-GE3_VISHAY/威世科技_MOSFET N-CH D-S 60V SC-70-3中天科工二部

SI1330EDL-T1-GE3

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1+
  • 廠家型號：

    SI1330EDL-T1-GE3

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    VISHAY/威世

  • 庫存數(shù)量：

    39374

  • 產(chǎn)品封裝：

    SOT-323

  • 生產(chǎn)批號：

    25+

  • 庫存類型：

    熱賣庫存

  • 更新時間：

    2025-7-17 16:14:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：SI1330EDL-T1-GE3品牌：VISHAY/威世

VISHAY/威世全新特價SI1330EDL-T1-GE3即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨

  • 芯片型號：

    SI1330EDL-T1-GE3

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    VBSEMI【微碧半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    VBsemi Electronics Co.,Ltd

  • 中文名稱：

    微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    8 頁

  • 文件大小：

    1013.61 kb

  • 資料說明：

    N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號：

    SI1330EDL-T1-GE3

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH D-S 60V SC-70-3

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    TrenchFET®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    李先生

  • 手機(jī)：

    13128990370

  • 詢價：
  • 電話：

    13128990370/微信同號

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)賽格廣場54層5406-5406B

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