首頁(yè)>SCTW100N65G2AG>規(guī)格書詳情
SCTW100N65G2AG中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
SCTW100N65G2AG |
| 功能描述 | Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 100 A,20 mΩ (typ., TJ=25 °C), in an HiP247? package |
| 絲印標(biāo)識(shí) | |
| 封裝外殼 | HiP247 |
| 文件大小 |
423.74 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
11 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | STMICROELECTRONICS |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-21 23:01:00 |
| 人工找貨 | SCTW100N65G2AG價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
SCTW100N65G2AG規(guī)格書詳情
特性 Features
? AEC-Q101 qualified
? Very high operating temperature capability (TJ = 200 °C)
? Very fast and robust intrinsic body diode
? Low capacitance
Applications
? Traction for inverters
? DC-DC converters
? OBC
描述 Description
This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s
advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device
features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching
performance.
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原廠直銷,現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持! |
詢價(jià) | ||
ST |
23+ |
HIP247 |
12700 |
買原裝認(rèn)準(zhǔn)中賽美 |
詢價(jià) | ||
ST |
23+ |
TO-247 |
600 |
正規(guī)渠道,只有原裝! |
詢價(jià) | ||
ST/意法 |
21+ |
HiP247 |
1773 |
只做原裝,一定有貨,不止網(wǎng)上數(shù)量,量多可訂貨! |
詢價(jià) | ||
ST |
24+ |
HIP247 |
30000 |
原裝正品公司現(xiàn)貨,假一賠十! |
詢價(jià) | ||
NA |
23+ |
NA |
26094 |
10年以上分銷經(jīng)驗(yàn)原裝進(jìn)口正品,做服務(wù)型企業(yè) |
詢價(jià) | ||
ST/意法 |
25+ |
原裝 |
32360 |
ST/意法全新特價(jià)SCTW100N65G2AG即刻詢購(gòu)立享優(yōu)惠#長(zhǎng)期有貨 |
詢價(jià) | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
25+ |
原廠封裝 |
10280 |
原廠授權(quán)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源！ |
詢價(jià) | ||
ST |
21+ |
HIP247 |
10000 |
全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
ST |
23+ |
HIP247 |
1200 |
公司只做原裝現(xiàn)貨庫(kù)存! |
詢價(jià) |
