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SCTL35N65G2V數(shù)據(jù)手冊ST中文資料規(guī)格書
SCTL35N65G2V規(guī)格書詳情
描述 Description
This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
特性 Features
? Very fast and robust intrinsic body diode
? Low capacitances
? Source sensing pin for increased efficiency
技術參數(shù)
- 制造商編號
：SCTL35N65G2V
- 生產(chǎn)廠家
：ST
- Package
：PowerFLAT 8x8 HV
- Grade
：Industrial
- VDSS_nom(V)
：650
- RDS(on)_max(mΩ)
：67
- Drain Current (Dc)_max(A)
：40
- PTOT_max(W)
：417
- Qg_typ(nC)
：73
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
25+ |
SMD |
860000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
ST |
兩年內(nèi) |
NA |
30 |
實單價格可談 |
詢價 | ||
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
1661 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價 | ||
ST(意法半導體) |
24+ |
PowerVDFN8 |
7350 |
現(xiàn)貨供應,當天可交貨!免費送樣,原廠技術支持!!! |
詢價 | ||
ST(意法半導體) |
20+ |
PowerVDFN-8 |
3000 |
詢價 | |||
ST/意法半導體 |
25+ |
原廠封裝 |
10280 |
原廠授權代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源！ |
詢價 | ||
ST |
23+ |
QFP |
16900 |
正規(guī)渠道,只有原裝! |
詢價 | ||
ST |
QFP |
3200 |
原裝長期供貨! |
詢價 | |||
ST |
2018+ |
SMD |
6528 |
承若只做進口原裝正品假一賠十! |
詢價 | ||
TYCOELECTRONICS |
新 |
45005 |
全新原裝 貨期兩周 |
詢價 |
