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SCT070H120G3AG中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

SCT070H120G3AG
廠商型號(hào)

SCT070H120G3AG

功能描述

Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mΩ typ., 30 A in an H2PAK-7 package

絲印標(biāo)識(shí)

70H120G3AG

封裝外殼

H2PAK-7

文件大小

396.48 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

14 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

STMICROELECTRONICS

中文名稱

意法半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-8-6 23:00:00

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SCT070H120G3AG規(guī)格書詳情

特性 Features

? AEC-Q101 qualified

? Very low RDS(on) over the entire temperature range

? High speed switching performances

? Very fast and robust intrinsic body diode

? Source sensing pin for increased efficiency

Applications

? Main inverter (electric traction)

? DC/DC converter for EV/HEV

? On board charger (OBC)

描述 Description

This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s

advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device

features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with

low capacitances and very high switching operations, which improve application

performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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