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SCT060W75G3AG中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

SCT060W75G3AG
廠商型號(hào)

SCT060W75G3AG

功能描述

Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 60 m? typ., 30 A in an HiP247 package

文件大小

202.21 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

12 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
STMICROELECTRONICS
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-8-3 11:06:00

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SCT060W75G3AG規(guī)格書(shū)詳情

特性 Features

? AEC-Q101 qualified

? Very low RDS(on) over the entire temperature range

? High speed switching performances

? Very fast and robust intrinsic body diode

? Very high operating junction temperature capability (TJ

= 200 °C)

Applications

? DC/DC converter for EV/HEV

? Main inverter (electric traction)

? On board charger (OBC)

描述 Description

This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s

advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device

features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low

capacitances and very high switching operations, which improve application

performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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N/A
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一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇
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ST/意法半導(dǎo)體
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