描述 Description

16PIN，高速1T 8051內(nèi)核Flash MCU ，1 Kbytes SRAM ，16 Kbytes Flash，128 bytes獨立EEPROM，13通道可低功耗雙模觸控電路，12位ADC，4路10位PWM，3個定時器，乘除法器，UART，SSI ，Check Sum校驗模塊

特性 Features

工作電壓：2.4V~5.5V
工作溫度：-40 ~ 85℃
封裝：
SC92F84A1 (SOP16)
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內(nèi)核：1T 8051
Flash ROM：16 Kbytes Flash ROM（MOVC禁止尋址0000H~00FFH）可重復寫入1萬次
IAP：可code option成0K、0.5K、1K或16K
EEPROM：128 bytes，無需擦除，10萬次寫入，10年以上保存壽命
SRAM：內(nèi)部256 bytes+外部768 bytes

系統(tǒng)時鐘（fSYS）：
● 內(nèi)建高頻 24MHz 振蕩器（fHRC）
■ 作為系統(tǒng)時鐘源時，fSYS可通過編程器選擇設定為12/6/2MHz
■?頻率誤差：跨越(2.9V~5.5V) 及 (-10 ~ 85℃)應用環(huán)境，不超過 ±1%
●?內(nèi)置高頻晶體振蕩器電路
■?可外接2~16MHz振蕩器
■?作為系統(tǒng)時鐘源時，fSYS可通過編程器選擇使用外接晶振 /1 /2 /4 /12 這四種分頻中的一種
●?IC系統(tǒng)時鐘（fSYS）對應的工作電壓范圍
■?>12MHz @2.9~5.5V
■?≤12MHz @2.4~5.5V

內(nèi)建低頻?128kHz LRC?振蕩器：
●?可作為Base Timer的時鐘源，可喚醒STOP
●?可作為WDT的時鐘源
●?頻率誤差：跨越 (4.0V ~ 5.5V) 及 (-20 ~ 85℃) 應用環(huán)境，頻率誤差不超過 ±4%

低電壓復位（LVR）：
●?復位電壓有4級可選：分別是：4.3V、3.7V、2.9V、2.3V
●?缺省值為用戶燒寫Code Option所選值

Flash燒寫和仿真：
●?2線JTAG燒寫和仿真接口

中斷（INT）：
●?Timer0，Timer1，Timer2，INT0~2，ADC，PWM，UART，SSI，Base Timer，TK 共12 個中斷源
●?外部中斷有3個中斷向量，共13個中斷口，全部可設上升沿、下降沿、雙沿中斷
●?兩級中斷優(yōu)先級可設

數(shù)字外圍：
●?最大14個雙向可獨立控制的 I/O口，可獨立設定上拉電阻
●?P0、P2口源驅動能力分四級控制
●?全部IO具有大灌電流驅動能力（70mA）
●?11位WDT，可選時鐘分頻比
●?3個標準 80C51 定時器Timer0、Timer1和Timer2
●?Timer2可實現(xiàn)Capture功能
●?4路共用周期、單獨可調占空比的 10位PWM ，可同時輸出三組互補帶死區(qū)的PWM波形
●?2個IO可作為1/2 BIAS的LCD COM輸出
●?1個獨立UART通信口（可切換IO口）
●?1個UART/SPI/IIC三選一通訊口SSI（可切換IO口）
●?集成16 ×16位硬件乘除法器

模擬外圍：
●?13通道可低功耗雙模觸控電路，可配置為高靈敏度模式或高可靠模式：
■?高靈敏度模式可適應隔空按鍵觸控、接近感應等對靈敏度要求較高的觸控應用
■?高可靠模式具有很強的抗干擾性，可通過10V動態(tài)CS測試
■?可實現(xiàn)13路觸控按鍵及衍生功能
■?高靈活度開發(fā)軟件庫支持，低開發(fā)難度
■?自動化調試軟件支持，智能化開發(fā)
■?低功耗觸控模式，單觸控按鍵喚醒時芯片整體功耗可低至11uA
●?6路12位±2LSB ADC
■?內(nèi)建基準的 2.4V 參考電壓
■?ADC的參考電壓有2種選擇，分別是 VDD以及內(nèi)部2.4V
■?內(nèi)部一路ADC可直接測量VDD電壓
■?可設ADC轉換完成中斷
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省電模式：
●?IDLE Mode，可由任何中斷喚醒
●?STOP Mode，由 INT0~2、BaseTimer和TK喚醒