描述 Description

28PIN，16K FLASH ROM,獨立128BEEPROM，1024B SRAM，26個GP I/O，23通道可低功耗雙模觸控電路，3個16位Timer，11路12位ADC，6路10位PWM,可同時輸出三組互補帶死區(qū)的PWM波形，5個IO可作為1/2 BIAS的LCD COM輸出，一路獨立硬件UART，一路硬件UART/SPI/IIC三選一通訊口，Check Sum校驗?zāi)K,16 ×16位硬件乘除法器，觸摸庫.

特性 Features

工作電壓：2.4V~5.5V
工作溫度：-40 ~ 85℃
封裝：
SC92F8463B (SOP28/TSSOP28)
內(nèi)核：1T 8051
Flash ROM：16Kbytes Flash ROM（MOVC禁止尋址0000H~00FFH）可重復(fù)寫入1萬次
IAP：可code option成0K、0.5K、1K或16K
EEPROM：128bytes，無需擦除，10萬次寫入，10年以上保存壽命
SRAM：內(nèi)部256 bytes+外部768 bytes
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系統(tǒng)時鐘（fSYS）：
l內(nèi)建高頻 24MHz 振蕩器（fHRC）
n作為系統(tǒng)時鐘源時，fSYS可通過編程器選擇設(shè)定為12/6/2MHz
n頻率誤差：跨越 (3.0V~5.5V) 及 (-20 ~ 85℃) 應(yīng)用環(huán)境, 不超過 ±1%
l內(nèi)置高頻晶體振蕩器電路
n可外接2~16MHz振蕩器
n作為系統(tǒng)時鐘源時，fSYS可通過編程器選擇使用外接晶振 /1 /2 /4 /12 這四種分頻中的一種
lIC系統(tǒng)時鐘（fSYS）對應(yīng)的工作電壓范圍
n>12MHz@2.9~5.5V
n≤12MHz @2.4~5.5V
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內(nèi)建低頻 128kHz LRC 振蕩器：
l可作為Base Timer 時鐘源，可喚醒STOP
l可作為WDT的時鐘源
l頻率誤差：跨越 (4.0V ~ 5.5V) 及 (-20 ~ 85℃) 應(yīng)用環(huán)境，頻率誤差不超過 ±4%
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低電壓復(fù)位（LVR）：
l復(fù)位電壓有4級可選：分別是：4.3V、3.7V、2.9V、2.3V
l缺省值為用戶燒寫Code Option所選值
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Flash燒寫和仿真：
l2線JTAG燒寫和仿真接口
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中斷（INT）：
lTimer0，Timer1，Timer2，INT0~2，ADC，PWM，UART，SSI，Base Timer，TK 共12 個中斷源
l外部中斷有3個中斷向量，共13個中斷口，全部可設(shè)上升沿、下降沿、雙沿中斷
l兩級中斷優(yōu)先級可設(shè)
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數(shù)字外圍：
l最大26個雙向可獨立控制的 I/O口，可獨立設(shè)定上拉電阻
lP0、P2口源驅(qū)動能力分四級控制
l全部IO具有大灌電流驅(qū)動能力（70mA）
l11位WDT，可選時鐘分頻比
l3個標(biāo)準(zhǔn) 80C51 定時器Timer0、Timer1和Timer2
lTimer2可實現(xiàn)Capture功能
l6路共用周期、單獨可調(diào)占空比的 10位PWM ，可同時輸出三組互補帶死區(qū)的PWM波形
l5個IO可作為1/2 BIAS的LCD COM輸出
l1個獨立UART通信口（可切換IO口）
l1個UART/SPI/IIC三選一通訊口SSI（可切換IO口）
l集成16 ×16位硬件乘除法器
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模擬外圍：
l23通道可低功耗雙模觸控電路，可配置為高靈敏度模式或高可靠模式：
n高靈敏度模式可適應(yīng)隔空按鍵觸控、接近感應(yīng)等對靈敏度要求較高的觸控應(yīng)用
n高可靠模式具有很強的抗干擾性，可通過10V動態(tài)CS測試
n可實現(xiàn)23路觸控按鍵及衍生功能
n高靈活度開發(fā)軟件庫支持，低開發(fā)難度
n自動化調(diào)試軟件支持，智能化開發(fā)
n低功耗觸控模式，單觸控按鍵喚醒時芯片整體功耗可低至11uA
l11路12位±2LSB ADC
n內(nèi)建基準(zhǔn)的 2.4V 參考電壓
nADC的參考電壓有2種選擇，分別是 VDD以及內(nèi)部2.4V
n內(nèi)部一路ADC可直接測量VDD電壓
n可設(shè)ADC轉(zhuǎn)換完成中斷
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省電模式：
lIDLEMode，可由任何中斷喚醒
lSTOPMode，由 INT0~2、BaseTimer和TK喚醒