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SB051P200-W-AG/AL中文資料東電電子數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
| 廠商型號(hào) |
SB051P200-W-AG/AL |
| 功能描述 | Schottky Barrier Diode Wafer 51 Mils, 200 Volt, 2 Amp |
| 文件大小 |
155.36 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
1 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | TEL |
| 中文名稱 | 東電電子 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-9-1 16:13:00 |
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SB051P200-W-AG/AL規(guī)格書(shū)詳情
特性 Features
Oxide Passivated Junction
Low Forward Voltage
150 o C Junction Operating
Low Reverse Leakage
Supplied as Wafers
Platinum Barrier
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
SB051P200-W-AG/AL
- 制造商：
TRSYS
- 制造商全稱：
Transys Electronics
- 功能描述：
Schottky Barrier Diode Wafer 51 Mils, 200 Volt, 2 Amp
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ASTRODYNE |
23+ |
DIP24 |
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