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SB051C025-1-W-AG中文資料東電電子數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

SB051C025-1-W-AG
廠商型號

SB051C025-1-W-AG

功能描述

Schottky cr Barrier Diode Wafer 51 Mils, 25 Volt, 1 Amp, 0.33VF.

文件大小

155.74 Kbytes

頁面數(shù)量

1

生產(chǎn)廠商 Tokyo Electron Ltd.
企業(yè)簡稱

TEL東電電子

中文名稱

東京電子有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-8-3 15:00:00

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SB051C025-1-W-AG規(guī)格書詳情

特性 Features

Oxide Passivated Junction

Very Low Forward Voltage

125 o C Junction Operating

Low Reverse Leakage

Supplied as Wafers

Chromium Barrier

>1000V ESD (MM)

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    SB051C025-1-W-AG

  • 制造商:

    TRSYS

  • 制造商全稱:

    Transys Electronics

  • 功能描述:

    Schottky cr Barrier Diode Wafer 51 Mils, 25 Volt, 1 Amp, 0.33VF.

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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