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TRS12E65H

Marking:S12E65H;Package:TO-220-2L;SiC Schottky Barrier Diode

Applications ?PowerFactorCorrection ?SolarInverters ?UninterruptiblePowerSupplies ?DC-DCConverters Features (1)Chipdesignof3rdgeneration (2)Lowforwardvoltage:VF=1.2V(typ.) (3)Lowtotalcapacitivecharge:Qc=33nC(typ.) (4)Lowreversecurrent:IR=2.4μA(typ.

TOSHIBAToshiba Semiconductor

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