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RM6N800LD中文資料RECTRON數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

RM6N800LD
廠商型號(hào)

RM6N800LD

功能描述

N-Channel Super Junction Power MOSFET III

絲印標(biāo)識(shí)

6N800

封裝外殼

TO-252

文件大小

861.75 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Rectron Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

RECTRON

中文名稱

Rectron Semiconductor官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-7-31 17:02:00

人工找貨

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RM6N800LD規(guī)格書詳情

特性 Features

Now technology for high voltage device

Low on-resistance and low conduction losses

Smal package

Ultra Low Gate Charge cause lower driving requirements

100% Avalanche Tested

ROHS compliant

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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