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RM6A5N30S6中文資料RECTRON數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

RM6A5N30S6
廠商型號(hào)

RM6A5N30S6

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

6A5N30

封裝外殼

SOT-23-6

文件大小

335.97 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Rectron Semiconductor
企業(yè)簡稱

RECTRON

中文名稱

Rectron Semiconductor官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
RECTRON
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-8-2 17:00:00

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RM6A5N30S6規(guī)格書詳情

General Features

VDS =32V,ID =6.5A

RDS(ON) < 35m? GS=10V

RDS(ON) < 55m? GS=4.5V

High density cell design for ultra low Rdson

Fully characterized Avalanche voltage and current

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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