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RM6A5N30S6中文資料RECTRON數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

廠商型號(hào) |
RM6A5N30S6 |
功能描述 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
絲印標(biāo)識(shí) | |
封裝外殼 | SOT-23-6 |
文件大小 |
335.97 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
8 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Rectron Semiconductor |
企業(yè)簡稱 |
RECTRON |
中文名稱 | Rectron Semiconductor官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-8-2 17:00:00 |
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General Features
VDS =32V,ID =6.5A
RDS(ON) < 35m? GS=10V
RDS(ON) < 55m? GS=4.5V
High density cell design for ultra low Rdson
Fully characterized Avalanche voltage and current
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
PH |
23+ |
NA |
256 |
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詢價(jià) | ||
FERROXCUBEHONGKONGLTD |
24+ |
2122 |
詢價(jià) | ||||
NK/南科功率 |
2025+ |
SOT-23-6L |
986966 |
國產(chǎn) |
詢價(jià) | ||
24+ |
N/A |
75000 |
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BGA |
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