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RM2A8N60S4中文資料RECTRON數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

RM2A8N60S4
廠商型號

RM2A8N60S4

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

絲印標識

2A8N60

封裝外殼

SOT-223-3L

文件大小

173.66 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商

RECTRON

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-14 8:01:00

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RM2A8N60S4規(guī)格書詳情

General Features

VDS = 60V,ID = 2.8A

RDS(ON) < 100mΩ @ VGS=10V

High density cell design for ultra low Rdson

Fully characterized avalanche voltage and current

Excellent package for good heat dissipation

RDS(ON)

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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