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RM2A3P60S4中文資料RECTRON數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

RM2A3P60S4
廠商型號(hào)

RM2A3P60S4

功能描述

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

2A3P60

封裝外殼

SOT-223-3L

文件大小

188.62 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

RECTRON

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-8-14 17:42:00

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RM2A3P60S4規(guī)格書(shū)詳情

General Features

VDS = -60V,ID = -2.3A

RDS(ON) < 180mΩ @ VGS=-10V

High density cell design for ultra low Rdson

Fully characterized avalanche voltage and current

Excellent package for good heat dissipation

RDS(ON)

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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