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RJP63K2DPK數(shù)據(jù)手冊Renesas中文資料規(guī)格書

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廠商型號(hào)

RJP63K2DPK

功能描述

N-Channel IGBT

制造商

Renesas Renesas Technology Corp

中文名稱

瑞薩 瑞薩科技有限公司

數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-8-9 23:01:00

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RJP63K2DPK規(guī)格書詳情

描述 Description

*? Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series)
*? Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat)= 1.9 V typ
*? High speed switching: tr= 60 ns typ, tf= 200 ns typ.
*? Low leak current: ICES= 1 ?A max

技術(shù)參數(shù)

  • 型號(hào):

    RJP63K2DPK

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全稱:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Silicon N Channel IGBT High speed power switching

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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