RJP63F3數(shù)據(jù)手冊Renesas中文資料規(guī)格書

廠商型號 |
RJP63F3 |
功能描述 | Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching |
制造商 | Renesas Renesas Technology Corp |
中文名稱 | 瑞薩 瑞薩科技有限公司 |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-8-10 9:07:00 |
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RJP63F3規(guī)格書詳情
特性 Features
? Trench gate and thin wafer technology (G6H series)
? Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.7 V typ
? High speed switching tf = 100 ns typ
? Low leak current ICES = 1 μA max
? Isolated package TO-220FL
技術(shù)參數(shù)
- 型號:
RJP63F3
- 制造商:
RENESAS
- 制造商全稱:
Renesas Technology Corp
- 功能描述:
Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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24+ |
N/A |
75000 |
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RENESAS/瑞薩 |
22+ |
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RENESAS |
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TO-220F |
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RENESAS |
2024+ |
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