RGT8NS65D分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
RGT8NS65D |
| 參數(shù)屬性 | RGT8NS65D 封裝/外殼為TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 650V 8A 65W TO-263S |
| 功能描述 | 650V 4A Field Stop Trench IGBT |
| 封裝外殼 | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB |
| 文件大小 |
721.51 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
12 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | ROHM |
| 中文名稱 | 羅姆 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-7 14:08:00 |
| 人工找貨 | RGT8NS65D價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
RGT8NS65DGTL
- 制造商：
Rohm Semiconductor
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- IGBT 類型：
溝槽型場(chǎng)截止
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，4A
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：
17ns/69ns
- 測(cè)試條件：
400V，4A，50歐姆，15V
- 工作溫度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
- 供應(yīng)商器件封裝：
LPDS
- 描述：
IGBT 650V 8A 65W TO-263S
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ALCATEL |
24+ |
PLCC |
15300 |
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詢價(jià) | ||
ROHM/羅姆 |
21+ |
TO263 |
990 |
原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價(jià) | ||
ROHM/羅姆 |
23+ |
NA |
2860 |
原裝正品代理渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) |
詢價(jià) | ||
Rohm Semiconductor |
22+ |
LPDS (TO263S) |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價(jià) | ||
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