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RGT8BM65D分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

RGT8BM65D
廠商型號

RGT8BM65D

參數(shù)屬性

RGT8BM65D 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 650V 8A 62W TO-252

功能描述

650V 4A Field Stop Trench IGBT

封裝外殼

TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

文件大小

705.99 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商

ROHM

中文名稱

羅姆

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-16 14:20:00

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    RGT8BM65DTL

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,4A

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    17ns/69ns

  • 測試條件:

    400V,4A,50歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-252

  • 描述:

    IGBT 650V 8A 62W TO-252

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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