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RFP12N10中文資料新澤西半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

RFP12N10
廠商型號

RFP12N10

功能描述

12A, 80Vand 100V, 0.200 Ohm, N-Channel Power MOSFETs

文件大小

99.52 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商

NJSEMI New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體 新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-9-1 23:01:00

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RFP12N10規(guī)格書詳情

These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors designed for applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers, relay drivers and drivers for high power bipolar switching transistors requiring high speed and low gate drive power. These types can be operated directly from integrated circuits.

特性 Features

? 12A, 80V and 100V

? rDS(ON) =0-200ii

? Related Literature

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    RFP12N10

  • 制造商:

    Rochester Electronics LLC

  • 功能描述:

    - Bulk

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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