RFP10N12中文資料GESS數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
| 廠商型號(hào) |
RFP10N12 |
| 功能描述 | N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS |
| 文件大小 |
211.91 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
4 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | GESS GE Solid State |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-16 18:19:00 |
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RFP10N12規(guī)格書(shū)詳情
N-Channel Enhancement-Mode Power Field-Effect Transistors
特性 Features
■ SOA is power-dissipation limited
■ Nanosecond switching speeds
■ Linear transfer characteristics
■ High input impedance
■ Majority carrier device
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
RFP10N12
- 制造商：
GESS
- 制造商全稱(chēng)：
GESS
- 功能描述：
N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FSC |
0428+ |
T0-220 |
500 |
一級(jí)代理,專(zhuān)注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢(xún)價(jià) | ||
HARRIS(哈利斯) |
20+ |
TO-220-3 |
3000 |
詢(xún)價(jià) | |||
INTESIL |
23+ |
TO-220 |
8000 |
專(zhuān)做原裝正品,假一罰百! |
詢(xún)價(jià) | ||
Harris |
25+ |
25000 |
原廠原包 深圳現(xiàn)貨 主打品牌 假一賠百 可開(kāi)票! |
詢(xún)價(jià) | |||
RCA |
新 |
466 |
全新原裝 貨期兩周 |
詢(xún)價(jià) | |||
HAR |
24+ |
N/A |
5000 |
公司存貨 |
詢(xún)價(jià) | ||
INTERSIL |
17+ |
TO-220 |
6200 |
詢(xún)價(jià) | |||
F |
24+ |
TO-220A |
80000 |
只做自己庫(kù)存 全新原裝進(jìn)口正品假一賠百 可開(kāi)13%增 |
詢(xún)價(jià) | ||
F |
22+ |
TO-220AB |
25000 |
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專(zhuān)注配單 |
詢(xún)價(jià) | ||
INTESIL |
2447 |
TO-220 |
100500 |
一級(jí)代理專(zhuān)營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長(zhǎng)期排單到貨 |
詢(xún)價(jià) |
