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QA3112M6N_UPI_30V Asymmetric Dual N-Channel Power MOSFET驚羽一部

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  • 廠家型號(hào):

    QA3112M6N

  • 產(chǎn)品分類:

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商:

    UPI

  • 庫(kù)存數(shù)量:

    96500

  • 產(chǎn)品封裝:

    DFN-8.貼片

  • 生產(chǎn)批號(hào):

    2425+

  • 庫(kù)存類型:

    熱賣庫(kù)存

  • 更新時(shí)間:

    2025-7-31 16:17:00

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原廠料號(hào):QA3112M6N品牌:UPI

包郵,有問必回,專注現(xiàn)貨,Q.微.恭候,備貨HK倉(cāng)

  • 芯片型號(hào):

    QA3112M6N

  • 規(guī)格書:

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱:

    UPI詳情

  • 廠商全稱:

    uPI Semiconductor Corp

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù):

    12 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    668.62 kb

  • 資料說(shuō)明:

    30V Asymmetric Dual N-Channel Power MOSFET

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)

    :QA3112M6N

  • Package Type

    :PRPAK5*6

  • Configuration

    :Asymmerric Dual

  • MOSFET Type

    :N/N

  • VDS (V)

    :30/30

  • VGS (V)

    :±20/±20

  • Vth max. (V)

    :2.5/2.5

  • RDS(ON) (mΩ)max. at VGS10V

    :5.6/2.7

  • RDS(ON) (mΩ)max. at VGS4.5V

    :8.4/3.9

  • Ciss (pF)

    :850/1759

  • Coss (pF)

    :280/614

  • Crss (pF)

    :18/40

  • Qg(nC)

    :14.5/27.3

  • Qgs(nC)

    :2.5/5.2

  • Qgd(nC)

    :2.2/3.7

  • ID (A) Tc=25℃

    :59/92

  • ID (A) Tc=100℃

    :37/58

  • ID (A) TA=25℃

    :15/23

  • ID (A) TA=70℃

    :12/18

  • EAS.max(mj)

    :58.5/132.1

  • PD(W) Tc=25℃

    :31/35

  • PD (W) TA=25℃

    :2/2

  • ESD Diode

    :NO

  • Schottky Diode

    :NO

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    深圳市驚羽科技有限公司

  • 商鋪:

    進(jìn)入商鋪留言

  • 聯(lián)系人:

    劉先生

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    13147005145

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    131-4700-5145

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    深圳市福田區(qū)深南中路3037號(hào)南光捷佳大廈2031室