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PXFC191507FC分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

PXFC191507FC
廠商型號

PXFC191507FC

參數屬性

PXFC191507FC 包裝為散裝;類別為分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產品描述:IC AMP RF LDMOS

功能描述

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 150 W, 28 V, 1805 – 1990 MHz
IC AMP RF LDMOS

文件大小

1.18386 Mbytes

頁面數量

8

生產廠商

WOLFSPEED

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更新時間

2025-8-29 16:02:00

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PXFC191507FC規(guī)格書詳情

PXFC191507FC屬于分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由WOLFSPEED, INC.制造生產的PXFC191507FC晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

描述 Description

The PXFC191507FC is a 150-watt LDMOS FET intended for use

in multi-standard cellular power amplifier applications in the 1805

to 1990 MHz frequency band. Features include input and output

matching, high gain and thermally-enhanced package with earless

flanges. Manufactured with Wolfspeed's advanced LDMOS process,

this device provides excellent thermal performance and superior

reliability

特性 Features

? Broadband internal input and output matching

? Typical Pulsed CW performance, 1990 MHz, 28 V,

10 μs pulse width, 10 duty cycle, class AB test

- Output power at P1dB = 140 W

- Efficiency = 54

- Gain = 19.5 dB

? Typical single-carrier WCDMA performance,

1990 MHz, 28 V, 10 dB PAR @ 0.01 CCDF, Test

Model 1 with 16DPCH

- Output power = 32 W avg

- Efficiency = 34

- Gain = 20 dB

- ACPR = –31 dBc@ 5 MHz

? Capable of handling 10:1 VSWR @28 V, 150 W

(CW) output power

? Integrated ESD protection : Human Body Model,

Class 1C (per JESD22-A114)

? Low thermal resistance

? Pb-free and RoHS compliant

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    PXFC191507FC-V1-R250

  • 制造商:

    Wolfspeed, Inc.

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    散裝

  • 描述:

    IC AMP RF LDMOS

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