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PTFA261301F分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

PTFA261301F
廠商型號

PTFA261301F

參數(shù)屬性

PTFA261301F 封裝/外殼為2-扁平封裝,葉片引線,帶法蘭;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:IC FET RF LDMOS 130W H-31260-2

功能描述

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 130 W, 2.62-2.68 GHz
IC FET RF LDMOS 130W H-31260-2

封裝外殼

2-扁平封裝,葉片引線,帶法蘭

文件大小

256.04 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商

Infineon

中文名稱

英飛凌

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-9-3 18:02:00

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PTFA261301F規(guī)格書詳情

PTFA261301F屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的PTFA261301F晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    PTFA261301F V1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 系列:

    GOLDMOS?

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    2.68GHz

  • 增益:

    13.5dB

  • 額定電流(安培):

    10μA

  • 功率 - 輸出:

    130W

  • 封裝/外殼:

    2-扁平封裝,葉片引線,帶法蘭

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    H-31260-2

  • 描述:

    IC FET RF LDMOS 130W H-31260-2

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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