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PTFA220081M分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

PTFA220081M
廠商型號(hào)

PTFA220081M

參數(shù)屬性

PTFA220081M 包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:IC AMP RF LDMOS 10-SON

功能描述

High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 8 W, 700-2200 MHz
IC AMP RF LDMOS 10-SON

文件大小

1.19297 Mbytes

頁面數(shù)量

17

生產(chǎn)廠商

INFINEON

中文名稱

英飛凌

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-9-3 10:16:00

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PTFA220081M規(guī)格書詳情

PTFA220081M屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的PTFA220081M晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

描述 Description

The PTFA220081M an unmatched 8-watt LDMOS FET suitable for power amplifiers applications with frequencies from 700 MHz to 2200 MHz. This LDMOS transistor offers excellent gain, efficiency and linearity performance in a small overmolded plastic package.

特性 Features

? Typical two-carrier WCDMA performance,

8 dB PAR

- POUT = 33 dBm Avg

- ACPR = –40 dBc

? Typical CW performance, 940 MHz, 28 V

- POUT = 40 dBm

- Efficiency = 59

- Gain = 20 dB

? Typical CW performance, 2140 MHz, 28 V

- POUT = 40 dBm

- Efficiency = 50

- Gain = 15 dB

? Capable of handling 10:1 VSWR @ 28 V, 8 W

(CW) output power

? Integrated ESD protection : Human Body Model,

Class 2 (minimum)

? Excellent thermal stability

? Pb-free and RoHS compliant

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    PTFA220081MV4S500XUMA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    管件

  • 描述:

    IC AMP RF LDMOS 10-SON

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
INFINEON
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INFINEON
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