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PTFA260851F V1 R250數(shù)據(jù)手冊分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF
| 廠商型號 |
PTFA260851F V1 R250 |
| 參數(shù)屬性 | PTFA260851F V1 R250 封裝/外殼為2-扁平封裝，葉片引線；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：IC FET RF LDMOS 85W H-31248-2 |
| 功能描述 | IC FET RF LDMOS 85W H-31248-2 |
| 封裝外殼 | 2-扁平封裝，葉片引線 |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名稱 | 英飛凌 英飛凌科技股份公司 |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-14 17:33:00 |
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PTFA260851F V1 R250規(guī)格書詳情
簡介
PTFA260851F V1 R250屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由制造生產(chǎn)的PTFA260851F V1 R250晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
技術(shù)參數(shù)
更多- 制造商編號
：PTFA260851F V1 R250
- 生產(chǎn)廠家
：Infineon
- 頻率
：2.68GHz
- 增益
：14dB
- 電壓 - 測試
：28V
- 額定電流
：10μA
- 噪聲系數(shù)
：-
- 電流 - 測試
：900mA
- 功率 - 輸出
：85W
- 電壓 - 額定
：65V
- 封裝/外殼
：2-扁平封裝，葉片引線
- 供應(yīng)商器件封裝
：H-31248-2
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
21+ |
H-31248-2 |
21000 |
100%進(jìn)口原裝!長期供應(yīng)!絕對優(yōu)勢價格(誠信經(jīng)營)! |
詢價 | ||
INFINEON |
24+ |
SMD |
5500 |
長期供應(yīng)原裝現(xiàn)貨實單可談 |
詢價 | ||
INFINEON |
24+ |
8585 |
原裝現(xiàn)貨,特價銷售 |
詢價 | |||
INFINEON |
NA |
5500 |
一級代理 原裝正品假一罰十價格優(yōu)勢長期供貨 |
詢價 | |||
INFINEON/英飛凌 |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原裝正品代理渠道價格優(yōu)勢 |
詢價 | ||
INFINEON |
24+ |
4 |
詢價 | ||||
Infineon Technologies |
22+ |
H312482 |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
2022+ |
H-31248-2 |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷 |
詢價 | ||
INFINEON |
23+ |
H-31248-2 |
8000 |
只做原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
H312482 |
7000 |
詢價 |
