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首頁(yè)>PTFA241301E V1>規(guī)格書(shū)詳情

PTFA241301E V1數(shù)據(jù)手冊(cè)分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書(shū)PDF

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廠商型號(hào)

PTFA241301E V1

參數(shù)屬性

PTFA241301E V1 封裝/外殼為2-扁平封裝,葉片引線;包裝為帶;類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:IC FET RF LDMOS 130W H-30260-2

功能描述

IC FET RF LDMOS 130W H-30260-2

封裝外殼

2-扁平封裝,葉片引線

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名稱(chēng)

英飛凌 英飛凌科技股份公司

數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-14 23:01:00

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PTFA241301E V1規(guī)格書(shū)詳情

簡(jiǎn)介

PTFA241301E V1屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由制造生產(chǎn)的PTFA241301E V1晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類(lèi)型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 制造商編號(hào)

    :PTFA241301E V1

  • 生產(chǎn)廠家

    :Infineon

  • 頻率

    :2.42GHz

  • 增益

    :14dB

  • 電壓 - 測(cè)試

    :28V

  • 額定電流

    :10μA

  • 噪聲系數(shù)

    :-

  • 電流 - 測(cè)試

    :1.15A

  • 功率 - 輸出

    :130W

  • 電壓 - 額定

    :65V

  • 封裝/外殼

    :2-扁平封裝,葉片引線

  • 供應(yīng)商器件封裝

    :H-30260-2

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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