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PTFA091201HL分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

PTFA091201HL
廠商型號

PTFA091201HL

參數(shù)屬性

PTFA091201HL 封裝/外殼為2-扁平封裝,葉片引線,帶法蘭;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:IC FET RF LDMOS 120W PG-64248-2

功能描述

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 120 W, 920-960 MHz
IC FET RF LDMOS 120W PG-64248-2

封裝外殼

2-扁平封裝,葉片引線,帶法蘭

文件大小

391.2 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商

INFINEON

中文名稱

英飛凌

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-8 8:31:00

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PTFA091201HL規(guī)格書詳情

PTFA091201HL屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的PTFA091201HL晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    PTFA091201HL V1 R250

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    960MHz

  • 增益:

    18.5dB

  • 額定電流(安培):

    10μA

  • 功率 - 輸出:

    110W

  • 封裝/外殼:

    2-扁平封裝,葉片引線,帶法蘭

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PG-64248-2

  • 描述:

    IC FET RF LDMOS 120W PG-64248-2

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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