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PTFA080551F分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

PTFA080551F
廠商型號

PTFA080551F

參數(shù)屬性

PTFA080551F 封裝/外殼為2-扁平封裝,葉片引線,帶法蘭;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:IC FET RF LDMOS 55W H-37265-2

功能描述

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs
IC FET RF LDMOS 55W H-37265-2

封裝外殼

2-扁平封裝,葉片引線,帶法蘭

文件大小

4.43668 Mbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商

INFINEON

中文名稱

英飛凌

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-8-9 20:00:00

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PTFA080551F規(guī)格書詳情

PTFA080551F屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的PTFA080551F晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    PTFA080551F V1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    960MHz

  • 增益:

    18.5dB

  • 額定電流(安培):

    10μA

  • 功率 - 輸出:

    55W

  • 封裝/外殼:

    2-扁平封裝,葉片引線,帶法蘭

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    H-37265-2

  • 描述:

    IC FET RF LDMOS 55W H-37265-2

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
INF
24+
NA/
200
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
詢價
INFINEON
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高頻管
29516
高頻管全新原裝主營-可開原型號增稅票
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INFIEON
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NI-780S
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一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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INFINEON/英飛凌
22+
H-37265-2
20000
原裝現(xiàn)貨,實單支持
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INFINEON
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NA
8500
原廠原包原裝公司現(xiàn)貨,假一賠十,低價出售
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INFINEON
1844+
NA
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INFINEON/英飛凌
2019+
SMD
6992
原廠渠道 可含稅出貨
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INFINEON/英飛凌
23+
TO-59
8510
原裝正品代理渠道價格優(yōu)勢
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Infineon(英飛凌)
23+
標(biāo)準(zhǔn)封裝
7000
原廠原裝現(xiàn)貨訂貨價格優(yōu)勢終端BOM表可配單提供樣品
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Infineon Technologies
22+
H372652
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
詢價