PTB20111數(shù)據(jù)手冊Ericsson中文資料規(guī)格書
PTB20111規(guī)格書詳情
描述 Description
The 20111 is a class AB, NPN, common emitter RF power transistor intended for 25 Vdc operation from 860 to 900 MHz. Rated at 85 watts minimum output power, it may be used for both CW and PEP applications. Ion implantation, nitride surface passivation and gold metallization are used to ensure excellent device reliability. 100% lot traceability is standard.
? 25 Volt, 860–900 MHz Characteristics
?? - Output Power = 85 Watts
?? - Collector Efficiency = 50% at 85 Watts
?? - IMD = -30 dBc Max at 60 W(PEP)
? Class AB Characteristics
? Gold Metallization
? Silicon Nitride Passivated
技術(shù)參數(shù)
- 型號：
PTB20111
- 功能描述：
射頻放大器 RF Bipolar Trans
- RoHS：
否
- 制造商：
Skyworks Solutions, Inc.
- 類型：
Low Noise Amplifier
- 工作頻率：
2.3 GHz to 2.8 GHz
- P1dB：
18.5 dBm
- 輸出截獲點：
37.5 dBm
- 功率增益類型：
32 dB
- 噪聲系數(shù)：
0.85 dB
- 工作電源電壓：
5 V
- 電源電流：
125 mA
- 測試頻率：
2.6 GHz
- 最大工作溫度：
+ 85 C
- 安裝風格：
SMD/SMT
- 封裝/箱體：
QFN-16
- 封裝：
Reel
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
200 |
現(xiàn)貨供應 |
詢價 | |||
ERICSSON/愛立信 |
19+ |
MODULE |
1290 |
主打模塊,大量現(xiàn)貨供應商QQ2355605126 |
詢價 | ||
Infineon |
24+ |
SMD |
2789 |
全新原裝自家現(xiàn)貨!價格優(yōu)勢! |
詢價 | ||
2017+ |
NA |
28562 |
只做原裝正品假一賠十! |
詢價 | |||
ERICSSON |
23+ |
TO-62 |
3200 |
專營高頻管模塊,全新原裝! |
詢價 | ||
23+ |
11200 |
原廠授權(quán)一級代理、全球訂貨優(yōu)勢渠道、可提供一站式BO |
詢價 | ||||
原廠 |
2023+ |
模塊 |
600 |
專營模塊,繼電器,公司原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原裝正品代理渠道價格優(yōu)勢 |
詢價 | ||
ERICSSON |
24+ |
TO-62 |
90000 |
一級代理商進口原裝現(xiàn)貨、價格合理 |
詢價 | ||
INFINEON |
23+ |
原廠封裝 |
7936 |
詢價 |
