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PTB20105中文資料愛(ài)立信數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

PTB20105
廠商型號(hào)

PTB20105

功能描述

20 Watts, 925-960 MHz Cellular Radio RF Power Transistor

文件大小

45.81 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

3 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

ERICSSON

中文名稱

愛(ài)立信

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-17 9:30:00

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PTB20105規(guī)格書詳情

描述 Description

The 20105 is a class AB, NPN, common emitter RF power transistor intended for 25 Vdc operation from 925 to 960 MHz. Rated at 20 watts minimum output power, it may be used for both CW and PEP applications. Ion implantation, nitride surface passivation and gold metallization are used to ensure excellent device reliability. 100 lot traceability is standard.

? Class AB Characteristics

? Performance at 960 MHz, 25 VCC

- Output Power = 20 W

- Efficiency = 50 Min

? Gold Metallization

? Silicon Nitride Passivated

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    PTB20105

  • 功能描述:

    射頻放大器 RF Bipolar Trans

  • RoHS:

  • 制造商:

    Skyworks Solutions, Inc.

  • 類型:

    Low Noise Amplifier

  • 工作頻率:

    2.3 GHz to 2.8 GHz

  • P1dB:

    18.5 dBm

  • 輸出截獲點(diǎn):

    37.5 dBm

  • 功率增益類型:

    32 dB

  • 噪聲系數(shù):

    0.85 dB

  • 工作電源電壓:

    5 V

  • 電源電流:

    125 mA

  • 測(cè)試頻率:

    2.6 GHz

  • 最大工作溫度:

    + 85 C

  • 安裝風(fēng)格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    QFN-16

  • 封裝:

    Reel

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