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PTB20079中文資料愛立信數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

PTB20079
廠商型號(hào)

PTB20079

功能描述

10 Watts, 1.6-1.7 GHz INMARSAT RF Power Transistor

文件大小

184.58 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商 Ericsson Microelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ERICSSON愛立信

中文名稱

愛立信公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-3 17:10:00

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PTB20079規(guī)格書詳情

描述 Description

The 20079 is a class A/AB, NPN, silicon bipolar junction, internally matched, common emitter RF Power transistor intended for 26 Vdc operation across 1.6 to 1.7 GHz frequency band. It is rated at 10 Watts minimum output power for PEP applications. Ion implantation, nitride surface passivation and gold metallization ensure excellent device reliability. 100 lot traceability is standard.

? 10 Watts, 1.6–1.7 GHz

? Class A/AB Characteristics

? 38 Collector Efficiency at 10 Watts

? Gold Metallization

? Silicon Nitride Passivated

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    PTB20079

  • 制造商:

    ERICSSON

  • 制造商全稱:

    Ericsson

  • 功能描述:

    10 Watts, 1.6-1.7 GHz INMARSAT RF Power Transistor

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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