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PSMN4R8-100YSE中文資料安世數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

PSMN4R8-100YSE
廠(chǎng)商型號(hào)

PSMN4R8-100YSE

功能描述

N-channel 100 V, 4.8 mOhm MOSFET with enhanced SOA in LFPAK56E

絲印標(biāo)識(shí)

4E8S10J

封裝外殼

SOT1023

文件大小

317.61 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

13 頁(yè)

生產(chǎn)廠(chǎng)商

NEXPERIA Nexperia B.V. All rights reserved

中文名稱(chēng)

安世 安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠(chǎng)下載

更新時(shí)間

2025-8-25 15:24:00

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PSMN4R8-100YSE規(guī)格書(shū)詳情

1. General description

N-channel enhancement mode MOSFET in a LFPAK56E package qualified to 175 °C. Part of

Nexperia's ASFETs for hotswap portfolio, the PSMN4R8-100YSE delivers very low RDSon and a

very strong linear-mode (SOA) performance in a high-reliability copper-clip LFPAK56E package.

PSMN4R8-100YSE complements the latest hot-swap controllers ? robust enough to withstand

substantial inrush currents during turn-on, low RDSon to minimize I2R losses delivering optimum

efficiency when turned fully ON and an 80 smaller footprint than existing D2PAK types.

2. Features and benefits

? Fully optimized Safe Operating Area (SOA) for superior linear mode operation

? Low RDSon for low I2R conduction losses

? LFPAK56E package for applications that demand the highest performance and reliability in a 30

mm2 footprint

3. Applications

? Hot swap

? Load switch

? Soft start

? E-fuse

? Telecommunication systems based on a 48 V backplane/supply rail

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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