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PSMN4R5-80YSF中文資料安世數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PSMN4R5-80YSF
廠商型號

PSMN4R5-80YSF

功能描述

NextPower 80 V, 4.5 mOhm N-channel MOSFET in LFPAK56

絲印標(biāo)識

4F5S80Y

封裝外殼

SOT669

文件大小

332.35 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-8-6 15:22:00

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PSMN4R5-80YSF規(guī)格書詳情

1. General description

NextPower 80 V, standard level gate drive MOSFET. Qualified to 175 °C and recommended for

industrial and consumer applications.

2. Features and benefits

? Low Qrr for higher efficiency and lower spiking

? 100 A ID(max) – demonstrated continuous current rating

? Low QG × RDSon FOM for high efficiency switching applications

? Strong avalanche energy rating (Eas)

? Avalanche rated and 100 tested

? Ha-free and RoHS compliant LFPAK56 package

? Wave-solderable

3. Applications

? Synchronous rectifier in AC-DC and DC-DC

? Primary side switch in DC-DC

? BLDC motor control

? USB-PD adapters

? Full-bridge and half-bridge applications

? Flyback and resonant topologies

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