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PSMN1R7-30YL中文資料安世數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PSMN1R7-30YL
廠商型號

PSMN1R7-30YL

功能描述

N-channel 30 V 1.7 mΩ logic level MOSFET in LFPAK

文件大小

913.2 Kbytes

頁面數(shù)量

15

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-6 14:31:00

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PSMN1R7-30YL規(guī)格書詳情

1.1 General description

Logic level N-channel MOSFET in LFPAK package qualified to 175 °C. This product is

designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic

equipment.

1.2 Features and benefits

? Advanced TrenchMOS provides low

RDSon and low gate charge

? High efficiency gains in switching

power convertors

? Improved mechanical and thermal

characteristics

? LFPAK provides maximum power

density in a Power SO8 package

1.3 Applications

? DC-to-DC converters

? Lithium-ion battery protection

? Load switching

? Motor control

? Server power supplies

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    PSMN1R7-30YL

  • 功能描述:

    MOSFET <=30V N CH TRENCHFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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