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PSMN1R6-30MLH中文資料安世數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PSMN1R6-30MLH
廠商型號

PSMN1R6-30MLH

功能描述

N-channel 30 V, 1.9 mΩ, 160 A logic level MOSFET in LFPAK33 using NextPowerS3 technology

絲印標(biāo)識

1H630L

封裝外殼

SOT1210

文件大小

303.89 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-8-5 21:28:00

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PSMN1R6-30MLH規(guī)格書詳情

1. General description

Logic level gate drive N-channel enhancement mode MOSFET in LFPAK33 package.

NextPowerS3 technology delivers low RDSon, low IDSS leakage and high efficiency. Rated to 160 A

and optimized for DC load switch and hot-swap applications.

2. Features and benefits

? Optimized for low RDSon

? Low leakage < 1 μA at 25 °C

? Low spiking and ringing for low EMI designs

? Optimized for 4.5 V gate drive

? 160 A rated

? High reliability copper-clip bonded and solder die attach LFPAK33 package

? Qualified to 175 °C

? Exposed leads for optimal visual solder inspection

3. Applications

? DC switch / load switch

? USB-PD and fast-charge

? Battery protection

? OR-ing and hot-swap

? Synchronous rectifier in AC-DC and DC-DC applications

? Brushed and BLDC (brushless) motor control

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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