原廠料號(hào)：SI3590Dv品牌：VISHAY

SI3590DV-T1-GE3-VB是VBsemi品牌生產(chǎn)的雙路N+P—Channel溝道功率MOSFET，采用SOT23-6封裝。它集成了兩個(gè)N溝道MOSFET和一個(gè)P溝道MOSFET，具有雙向電流傳輸能力，適用于多種功率管理和開關(guān)電路設(shè)計(jì)。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **電壓額定值 (VDS):**_±20V

- **N溝道電流額定值 (ID):**_7A

- **P溝道電流額定值 (ID):**_-4.5A

- **N溝道導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)):**_20mΩ @ VGS = 4.5V

- **P溝道導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)):**_70mΩ @ VGS = 4.5V

- **閾值電壓 (Vth):**_N溝道：0.71V，P溝道：-0.81V

- **最大柵極—源極電壓 (VGS(max)):**_±20V

• 芯片型號(hào)：

  SI3590DV

• 規(guī)格書：

  下載

• 企業(yè)簡稱：

  VISHAY【威世科技】詳情

• 廠商全稱：

  Vishay Siliconix

• 中文名稱：

  威世科技半導(dǎo)體

• 內(nèi)容頁數(shù)：

  9 頁

• 文件大小：

  124.2 kb

• 資料說明：

  N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET