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PMXB65ENE中文資料安世數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PMXB65ENE
廠商型號

PMXB65ENE

功能描述

30 V, N-channel Trench MOSFET

絲印標(biāo)識

00

封裝外殼

SOT1215

文件大小

745.8 Kbytes

頁面數(shù)量

15

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-7-31 20:00:00

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PMXB65ENE規(guī)格書詳情

1. General description

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1010D-3

(SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

2. Features and benefits

? Trench MOSFET technology

? Leadless ultra small and thin SMD plastic package: 1.1 × 1.0 × 0.37 mm

? Exposed drain pad for excellent thermal conduction

? ElectroStatic Discharge (ESD) protection 1 kV

? Very low Drain-Source on-state resistance RDSon = 44 mΩ

3. Applications

? Low-side load switch and charging switch for portable devices

? Power management in battery-driven portables

? LED driver

? DC-to-DC converters

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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