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PMPB13XNEA中文資料安世數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PMPB13XNEA
廠商型號

PMPB13XNEA

功能描述

30 V, N-channel Trench MOSFET

絲印標識

4G

封裝外殼

SOT1220

文件大小

299.72 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商

NEXPERIA Nexperia B.V. All rights reserved

中文名稱

安世 安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-10 23:00:00

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PMPB13XNEA規(guī)格書詳情

1. General description

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power

DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench

MOSFET technology.

2. Features and benefits

? Low threshold voltage

? Trench MOSFET technology

? Side wettable flanks for optical solder inspection

? ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 1 kV HBM (class H1C)

? AEC-Q101 qualified

3. Applications

? Relay driver

? High-speed line driver

? Low-side load switch

? Switching circuits

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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