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零件型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
PMPB07R3EN	文件：325.56 Kbytes Page：14 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/zq/marking.html">ZQ；Package：SOT1220-2；30 V, N-channel Trench MOSFET 1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessmediumpower DFN2020M-6(SOT1220-2)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrench MOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits ?Logic-levelcompatible ?UltralowQG,QGDforhighsystem	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司	NEXPERIA
PMPB07R3EN	文件：300 bytes Page：1 Pages	30 V, N-channel Trench MOSFET; ? Logic-level compatible\n? Ultra low QG, QGD for high system efficiency, especially at higher switching frequencies\n? Superfast switching with soft-recovery\n? Low spiking and ringing for low EMI designs\n? Exposed drain pad for excellent thermal conduction\n? Small and leadless ultra thin SMD plastic package: 2 x 2 x 0.65 mm\n; N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020M-6 (SOT1220-2) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.\n	NexperiaNexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司	Nexperia
PMPB07R3VP	文件：301.37 Kbytes Page：14 Pages	12V,P-channelTrenchMOSFET 1.Generaldescription P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessmediumpower DFN2020M-6(SOT1220-2)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrench MOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits ?Lowthresholdvoltage ?TrenchMOSFETtechnology ?Small	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司	NEXPERIA

零件型號(hào)

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功能描述

制造商上傳企業(yè)

LOGO

PMPB07R3EN

文件：325.56 Kbytes

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絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/zq/marking.html">ZQ；Package：SOT1220-2；30 V, N-channel Trench MOSFET

1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessmediumpower DFN2020M-6(SOT1220-2)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrench MOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits ?Logic-levelcompatible ?UltralowQG,QGDforhighsystem

安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

NEXPERIA

PMPB07R3EN

文件：300 bytes

Page：1 Pages

30 V, N-channel Trench MOSFET; ? Logic-level compatible\n? Ultra low QG, QGD for high system efficiency, especially at higher switching frequencies\n? Superfast switching with soft-recovery\n? Low spiking and ringing for low EMI designs\n? Exposed drain pad for excellent thermal conduction\n? Small and leadless ultra thin SMD plastic package: 2 x 2 x 0.65 mm\n;

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020M-6 (SOT1220-2) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.\n

安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

Nexperia

PMPB07R3VP

文件：301.37 Kbytes

Page：14 Pages

12V,P-channelTrenchMOSFET

1.Generaldescription P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessmediumpower DFN2020M-6(SOT1220-2)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrench MOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits ?Lowthresholdvoltage ?TrenchMOSFETtechnology ?Small

安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

NEXPERIA

技術(shù)參數(shù)

Package name：
DFN2020M-6
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
30
VGS [max] (V)：
20
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
8.6
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
12
integrated gate-source ESD protection diodes：
N
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
17
QGD [typ] (nC)：
1.6
QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)：
13
Ptot [max] (W)：
3.8
VGSth [typ] (V)：
1.7
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
914
Coss [typ] (pF)：
309
Release date：
2020-11-27

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司	PMPB07R3EN	NK/南科功率	2025+	DFN2020M-6	986966	國(guó)產(chǎn)	詢價(jià)
深圳市盈慧通電子有限公司	PMPB07R3EN	NEXPERIA/安世	2511	DFN2020-6	360000	電子元器件采購(gòu)降本 30%!盈慧通原廠直采,砍掉中間差價(jià)	詢價(jià)
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