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PMGD8000LN數(shù)據(jù)手冊Nexperia中文資料規(guī)格書
| 廠商型號 |
PMGD8000LN |
| 功能描述 | Dual N-channel TrenchMOS logic level FET |
| 制造商 | Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved |
| 中文名稱 | 安世 安世半導(dǎo)體(中國)有限公司 |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-20 8:55:00 |
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描述 Description
Dual logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.
技術(shù)參數(shù)
- 型號：
PMGD8000LN
- 功能描述：
MOSFET N-CH TRENCH DL 30V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
SOT-363 |
9600 |
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詢價 | ||
ADI |
23+ |
SOT363 |
7000 |
詢價 | |||
NEXPERIA/安世 |
22+ |
SOT363 |
30000 |
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詢價 | ||
恩XP |
24+ |
SC70-6 |
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恩XP |
17+ |
SOT363 |
6200 |
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詢價 | ||
恩XP |
SC70-6 |
22+ |
9000 |
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詢價 | ||
恩XP |
19+ |
SOT363 |
200000 |
詢價 | |||
恩XP |
21+ |
SOT363 |
1250 |
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詢價 |
