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PMGD370XN數(shù)據(jù)手冊Nexperia中文資料規(guī)格書

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廠商型號

PMGD370XN

功能描述

Dual N-channel TrechMOS extremely low level FET

制造商

Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved

中文名稱

安世 安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-20 16:50:00

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PMGD370XN規(guī)格書詳情

描述 Description

Dual extremely low level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.

技術(shù)參數(shù)

  • 型號:

    PMGD370XN

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH TRENCH DL 30V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
恩XP
23+
SOT-363
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原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
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SOT-363
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優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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